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UPA2562T1H-T2-AT中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPA2562T1H-T2-AT
厂商型号

UPA2562T1H-T2-AT

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

308.7 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-21 14:39:00

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UPA2562T1H-T2-AT规格书详情

Description

The μ PA2562 is Dual N-channel MOSFETs designed for back light inverters and power management applications of portable equipments. Dual N-channel MOSFETs are assembled in one package, to contribute minimize the equipments.

Features

• 2.5 V drive available

• Low on-state resistance

⎯ RDS(on)1 = 55 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2 A)

⎯ RDS( = 70 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 2 A)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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