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UPA1857GR-9JG中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPA1857GR-9JG
厂商型号

UPA1857GR-9JG

功能描述

N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

文件大小

73.95 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 15:46:00

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UPA1857GR-9JG规格书详情

DESCRIPTION

The µPA1857 features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 67.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A)

RDS(on)2 = 86.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2.0 A)

RDS(on)3 = 95.0 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 2.0 A)

• Low Ciss Ciss = 580 pF TYP.

• Built-in G-S protection diode against ESD

产品属性

  • 型号:

    UPA1857GR-9JG

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS瑞萨电子
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