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UPA1758G中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPA1758G
厂商型号

UPA1758G

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

225.6 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-1 14:23:00

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UPA1758G规格书详情

FEATURES

• Dual MOS FET chips in small package

• 2.5 V gate drive type low on-state resistance

RDS(on)1 = 30 mΩ (MAX.) (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A)

RDS(on)2 = 40 mΩ (MAX.) (VGS = 2.5 V, ID = 3.0 A)

• Low Ciss : Ciss = 1100 pF (TYP.)

• Built-in G-S protection diode

• Small and surface mount package (Power SOP8)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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