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UPA1758G中文资料PDF规格书

UPA1758G
厂商型号

UPA1758G

功能描述

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

文件大小

58.39 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-19 19:47:00

UPA1758G规格书详情

DESCRIPTION

This product is Dual N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for power management application of notebook computers, and Li-ion battery application.

FEATURES

• Dual MOS FET chips in small package

• 2.5 V gate drive type low on-state resistance

RDS(on)1 = 30 mΩ (MAX.) (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A)

RDS(on)2 = 40 mΩ (MAX.) (VGS = 2.5 V, ID = 3.0 A)

• Low Ciss : Ciss = 1100 pF (TYP.)

• Built-in G-S protection diode

• Small and surface mount package (Power SOP8)

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