| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
留言
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PANASONIC/松下SOT666 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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12年
留言
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PANASONICSOT-363 |
8592 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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13年
留言
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PANASONICSOT663 |
6688 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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13年
留言
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PANASONSOT563 |
8000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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16年
留言
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PanasonicSSMini6-F3-B |
36800 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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10年
留言
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PANASONICNA |
8000 |
26+ |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品 |
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12年
留言
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PANASONIC/松下SOT663 |
6540 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
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16年
留言
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PANASONIC/松下SOT-663 |
7000 |
26+ |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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8年
留言
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PANASONICSOT663 |
2928 |
09+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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11年
留言
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PANASONIC/松下SOT-663 |
26800 |
2223+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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13年
留言
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PANASONIC/松下SSMINI6-F1 |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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12年
留言
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PANASONIC/松下SOT563 |
15000 |
25+ |
全新原装现货,价格优势 |
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PANASONIC/松下SOT-363 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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6年
留言
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PANASONIC/松下SMD |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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17年
留言
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PANASONIC原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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6年
留言
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PANASONIC/松下SOT-663 |
5700 |
23+ |
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11年
留言
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PANASONIC/松下SOT563 |
15000 |
25+ |
全新原装现货 价格优势 |
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10年
留言
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SOT-563NA |
15659 |
25+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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10年
留言
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PANASONICSOT663 |
3216 |
25+ |
现货 |
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2年
留言
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PANASONIC/松下SOT-563 |
26800 |
2526+ |
只做原装正品,为客户做到零风险 |
UP0487采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
UP0487图片
UP0487800L价格
UP0487800L价格:¥0.2600品牌:Panasonic
生产厂家品牌为Panasonic的UP0487800L多少钱,想知道UP0487800L价格是多少?参考价:¥0.2600。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,UP0487800L批发价格及采购报价,UP0487800L销售排行榜及行情走势,UP0487800L报价。
UP04878G0L中文资料Alldatasheet PDF
更多UP04878制造商:PANASONIC 制造商全称:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-channel MOSFET
UP0487800L功能描述:MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UP0487C00L功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 100MA SSMINI-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UP04878G0L功能描述:MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR

























