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1A3	文件：78.23 Kbytes Page：2 Pages	SILICONRECTIFIERDIODES PRV:50-1000Volts Io:1.0Ampere FEATURES: Highcurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI
1A3	文件：86.37 Kbytes Page：2 Pages	1AmpMiniaturePlasfticSiliconRectifier50to1000Volts Features ●HighReliability ●LowLeakage ●LowForwardVoltageDrop ●ExceedsEnvironmentalStandardsofMIL-S-19500/228 ●Case:Moldedplasticblackbody,R-1 ●Epoxy:UL94V-Orateflameretardant ●Lead:MIL-STD-202Emethod208Cguaranteed ●Polarity:IndicatedbyCathodeBand	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
1A3	文件：63.66 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSEPLASTICRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000Volts ForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES •TheplasticpackagecarriesUnderwritesLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecurrentcapability •Hightem	JINANJINGHENGJinan Jingheng (Group) Co.,Ltd 晶恒集团济南晶恒电子有限责任公司	JINANJINGHENG
1A3	文件：95.27 Kbytes Page：1 Pages	LEADED(THRU-HOLE)GeneralPurposeRectifiers,1to8Amps LEADED(THRU-HOLE) GeneralPurposeRectifiers,1to8Amps	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
1A3	文件：234.25 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦Hightem	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
1A3	文件：681.64 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSESILICONRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ●TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ●Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Hightem	DIOTECH Diotech Company.	DIOTECH
1A3	文件：638.31 Kbytes Page：2 Pages	MINIATUREPLASTICRECTIFIERVOLTAGE50TO1000VCURRENT1.0A VOLTAGE50TO1000VCURRENT1.0A FEATURE •Moldedcasefeatureforautoinsertion •Highcurrentcapability •Lowleakagecurrent •Highsurgecapability •Hightemperaturesolderingguaranteed •250°C/10sec/0.375”leadlengthat5lbstension	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
1A3	文件：44.84 Kbytes Page：2 Pages	SILICONRECTIFIERDIODES PRV:50-1000Volts Io:1.0Ampere FEATURES: Highcurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
1A3	文件：162.53 Kbytes Page：2 Pages	AXIALSILASTICGUARDJUNCTIONSTANDARDRECTIFIER VOLTAGERANGE50to1000Volts CURRENT1.0Ampere FEATURES ·Lowcoatconstruction ·Lowforwardvoltagedrop ·Lowreverseleakage ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
1A3	文件：744.52 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMPSiliconRectifiers FEATURES .LowForwardVoltageDrop .HighCurrentCapability .HighReliability .HighSurgeCurrentCapability	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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产品属性

产品编号：
UNRF1A300A
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-101，SOT-883
供应商器件封装：
ML3-N2
描述：
TRANS PREBIAS PNP 100MW ML3-N2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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