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UNR5119G0L数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

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厂商型号

UNR5119G0L

参数属性

UNR5119G0L 封装/外壳为SC-85;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

功能描述

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

封装外壳

SC-85

制造商

Panasonic Panasonic Semiconductor

中文名称

松下 松下电器

数据手册

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更新时间

2025-8-10 17:10:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :UNR5119G0L

  • 生产厂家

    :Panasonic

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :50V

  • 电阻器 - 基底(R1)

    :1 kOhms

  • 电阻器 - 发射极基底(R2)

    :10 kOhms

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

    :30 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)

    :250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值)

    :500nA

  • 频率 - 跃迁

    :80MHz

  • 功率 - 最大值

    :150mW

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :SC-85

  • 供应商器件封装

    :S迷你型3-F2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PANASONI
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