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UNR2212

Silicon NPN epitaxial planar transistor

Silicon NPN epitaxial planar transistor For digital circuits ■ Features • Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. • Mini type package allowing easy automatic insertion through tape packing and magazine packing

文件:436.8 Kbytes 页数:17 Pages

Panasonic

松下

UNR221200L

TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3

Panasonic

松下

UNR221200L

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3

PanasonicElectronicComponents

VB2212N

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

文件:707.84 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VSP2212

CCD SIGNAL PROCESSOR For Digital Cameras

文件:125 Kbytes 页数:11 Pages

BURR-BROWN

VSP2212

CCD SIGNAL PROCESSOR For Digital Cameras

文件:529.83 Kbytes 页数:4 Pages

TI

德州仪器

技术参数

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    50V

  • 电阻器 - 基底(R1):

    22 kOhms

  • 电阻器 - 发射极基底(R2):

    22 kOhms

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,10V

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):

    250mV @ 300µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    迷你型3-G1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Panasonic
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Mini3-G3-B
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原装现货假一赔十
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全新原装正品现货,支持订货
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更多UNR2212供应商 更新时间2025-10-4 8:30:00