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UN3E8-350HSMD数据手册UNSEMI中文资料规格书

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厂商型号

UN3E8-350HSMD

功能描述

过压保护元件

制造商

UNSEMI UN Semiconducctor INC

中文名称

优恩半导体 深圳市优恩半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:36:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :UN3E8-350HSMD

  • 生产厂家

    :UNSEMI

  • 极数

    :3

  • 标称直流 击穿电压 (V)

    :350±20%

  • Impulse Spark-over Voltage @100V/µS

    :800

  • Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS

    :900

  • Minmum Insulation Resistance (MΩ)

    :1000

  • Arc Voltage @1A (V)

    :~25

  • Surge Current 8/20µs (A)

    :20000

  • Cj @1MHz (pF)

    :2.0

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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