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UN2E5-1000LSMD中文资料过压保护元件数据手册UNSEMI规格书

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厂商型号

UN2E5-1000LSMD

功能描述

过压保护元件

制造商

UNSEMI UN Semiconducctor INC

中文名称

优恩半导体 深圳市优恩半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 11:09:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :UN2E5-1000LSMD

  • 生产厂家

    :UNSEMI

  • 极数

    :2

  • 标称直流 击穿电压 (V)

    :1000±20%

  • Impulse Spark-over Voltage @100V/µS

    :1600

  • Impulse Spark-over Voltage @1KV/µS

    :1800

  • Minmum Insulation Resistance (MΩ)

    :1000

  • Arc Voltage @1A (V)

    :~20

  • Surge Current 8/20µs (A)

    :5000

  • Cj @1MHz (pF)

    :1.0

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
UNSEMI/优恩
23+
SMD
11200
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优恩半导体
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