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UN0817N2R9-T63中文资料优恩半导体数据手册PDF规格书

UN0817N2R9-T63
厂商型号

UN0817N2R9-T63

功能描述

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

丝印标识

UN0817N

封装外壳

TO-263

文件大小

5.86242 Mbytes

页面数量

8

生产厂商 UN Semiconducctor INC
企业简称

UNSEMI优恩半导体

中文名称

深圳市优恩半导体有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-29 23:00:00

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UN0817N2R9-T63规格书详情

Feature

Uses advanced SGT technology

Extremely low on-resistance RDS(ON)

Excellent gate charge x RDS(ON) product(FOM)

Applications

Motor control and drives

Battery management

DC/DC converter

General purpose applications

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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