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UMZ1NT1G	文件：68.65 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor Features • High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA • High hFE: hFE = 200400 • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: 3A − Machine Model: C • Pb−Free Package is Available 文件：68.65 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
UMZ1NT1G	文件：105.16 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor PNP and NPN Surface Mount Features • High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA • High hFE: hFE = 200~400 • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: 3A ESD Rating − Machine Model: C • NSV Prefix f 文件：105.16 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
UMZ1NT1G	文件：72.41 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor 文件：72.41 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
UMZ1NT1G_16	文件：72.41 Kbytes Page：5 Pages	Complementary Dual General Purpose Amplifier Transistor 文件：72.41 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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