UMZ1N中文资料Complex Bipolar Transistor数据手册UTC规格书
UMZ1N规格书详情
描述 Description
The UTC UMZ1N is a dual transistor, including an NPN transistor and a PNP transistor. It uses UTC’s advanced technology to provide customers with high DC current gain, etc.
特性 Features
• l
• High DC current gain
• PNP: hFE>120 @ VCE=-6V,IC=-1mA
技术参数
- 制造商编号
：UMZ1N
- 生产厂家
：UTC
- BVCBO*BVCES#BVCEV(V)Max.
：60
- BVCEO*BVCES(V)Max.
：50
- IC(mA)Max.
：150
- PDTA=25℃(W)
：0.15
- hFEMIN.
：120
- hFEMAX.
：560
- hFEtestIC(mA)
：1
- hFEtestVCE(V)
：6
- VCE(Sat)(V)MAX.
：0.4
- VCE(Sat)testIC(mA)
：50
- VCE(Sat)testIB(mA)
：5
- ftMIN.(MHz)
：*180
- CobMAX.(pF)
：3.5
- TypePart
：-
- Package
：SOT-363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
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CJ/长电 |
25+ |
SOT-363 |
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ROHM |
12+ |
SOT-363 |
2500 |
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ROHM |
24+ |
SOT363 |
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ROHM |
23+ |
SOT363 |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM |
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SOT-363 |
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23+ |
NA |
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ROHM |
24+ |
SOT-363 |
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