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UMZ1N数据手册UTC中文资料规格书

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厂商型号

UMZ1N

功能描述

Complex Bipolar Transistor

制造商

UTC Unisonic Technologies

中文名称

友顺 友顺科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 21:04:00

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UMZ1N规格书详情

描述 Description

The UTC UMZ1N is a dual transistor, including an NPN transistor and a PNP transistor. It uses UTC’s advanced technology to provide customers with high DC current gain, etc.

特性 Features

• l    
• High DC current gain
• NPN: hFE>120 @ VCE=6V, IC=1mA; 
• PNP: hFE>120 @ VCE=-6V,IC=-1mA

技术参数

  • 制造商编号

    :UMZ1N

  • 生产厂家

    :UTC

  • BVCBO*BVCES#BVCEV(V)Max.

    :60

  • BVCEO*BVCES(V)Max.

    :50

  • IC(mA)Max.

    :150

  • PDTA=25℃(W)

    :0.15

  • hFEMIN.

    :120

  • hFEMAX.

    :560

  • hFEtestIC(mA)

    :1

  • hFEtestVCE(V)

    :6

  • VCE(Sat)(V)MAX.

    :0.4

  • VCE(Sat)testIC(mA)

    :50

  • VCE(Sat)testIB(mA)

    :5

  • ftMIN.(MHz)

    :*180

  • CobMAX.(pF)

    :3.5

  • TypePart

    :-

  • Package

    :SOT-363

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