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UMIL100A	文件：133.33 Kbytes Page：2 Pages	100 Watts, 28 Volts, Class AB Defcom 225 - 400 MHz GENERALDESCRIPTION TheUMIL100AisadoubleinputmatchedCOMMONEMITTERbroadbandtransistorspecificallyintendedforuseinthe225-400MHzfrequencyband.ItmaybeoperatedinClassABorC.Goldmetallizationandsilicondiffusedresistorsensureruggednessandhighreliability.	GHZTECH GHz Technology	GHZTECH
UMIL100A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：55JU；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 31V 400MHZ 55JU	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UML100	文件：22.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR	ASI Advanced Semiconductor	ASI
UMTS100	文件：719.63 Kbytes Page：2 Pages	SquareCeramicSurfaceMountTimeLagFuse	bel Bel Fuse Inc.	bel
UMX-100	文件：566.44 Kbytes Page：1 Pages	MiniPCIe2-portUSBCard	VECOWVecow Co., Ltd. 超恩超恩股份有限公司	VECOW
UPG100B	文件：57.54 Kbytes Page：4 Pages	LOWNOISEWIDE-BANDAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPG100isaGaAsmonolithicintegratedcircuitdesignedasalownoiseamplifierfrom50MHzto3GHz.ThisdeviceissuitableforlownoiseIFgainstagesinmicrowavecommunicationandmeasurementequipment. FEATURES •ULTRAWIDEBAND:50MHzto3GHz •LOWNOISE:2.7dBTYP	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG100B	文件：217.3 Kbytes Page：10 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Wideband:f=50MHzto3GHz •Input/outputimpedancematchedto50 •Hermeticsealedceramicpackageassureshighreliability	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG100P	文件：106.01 Kbytes Page：8 Pages	WIDEBANDAMPLIFIERCHIPS DESCRIPTION PPG100PandPPG101PareGaAsintegratedcircuitsdesignedaswidebandamplifiers.Bothdevicesareavailableinchipform. PPG100Pislownoiseamplifierfrom50MHzto3GHzandPPG101Pisamediumpoweramplifierinthesamefrequencyband.Thesedevicesaremostsuitableforthe	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG100P	文件：57.54 Kbytes Page：4 Pages	LOWNOISEWIDE-BANDAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPG100isaGaAsmonolithicintegratedcircuitdesignedasalownoiseamplifierfrom50MHzto3GHz.ThisdeviceissuitableforlownoiseIFgainstagesinmicrowavecommunicationandmeasurementequipment. FEATURES •ULTRAWIDEBAND:50MHzto3GHz •LOWNOISE:2.7dBTYP	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG100P	文件：212.09 Kbytes Page：10 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Wideband:f=50MHzto3GHz	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

产品属性

产品编号：
UMIL100A
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
31V
频率 - 跃迁：
225MHz ~ 400MHz
增益：
7.2dB ~ 8.5dB
功率 - 最大值：
270W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 1A，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
20A
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
55JU
供应商器件封装：
55JU
描述：
RF TRANS NPN 31V 400MHZ 55JU

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