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EM6K31	文件：191.14 Kbytes Page：6 Pages	2.5VDriveNchNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EM6K31	文件：195.81 Kbytes Page：6 Pages	2.5VDriveNchNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EM6K31	文件：152.02 Kbytes Page：6 Pages	2.5VDriveNchNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MP6K31	文件：427.53 Kbytes Page：7 Pages	4VDriveNchNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SSM6K31FE	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
SSM6K31FE	文件：99.36 Kbytes Page：3 Pages	Highspeedswitching	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
UM6K31N	文件：205.18 Kbytes Page：6 Pages	2.5VDriveNchNchMOSFET	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UM6K31N	文件：205.18 Kbytes Page：6 Pages	2.5VDriveNchNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)SmallSurfaceMountPackage(UMT6). 3)Pb-freeleadplating;RoHScompliant. 4)HalogenFree. 5)AEC-Q101Qualified. Application Switching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
UM6K31N	文件：165.88 Kbytes Page：3 Pages	SILICONN-CHANNELMOSFETTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCUM6K31NisasiliconN-channelMOSFieldEffectTransistor.Itcanbeusedinswitchingapplications.	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UM6K31NFHA	文件：2.4459 Mbytes Page：13 Pages	NchNch60V250mASmallSignalMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)SmallSurfaceMountPackage(UMT6). 3)Pb-freeleadplating;RoHScompliant. 4)HalogenFree. Application Switching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
UM6K31NTN	文件：945.58 Kbytes Page：6 Pages	DualN-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowOn-Resistance:2.5Ω •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS •Lo	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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