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千层芯半导体(深圳)有限公司

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TISOIC16

5630

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TI一级代理原厂授权渠道实单支持

深圳市高捷芯城科技有限公司

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TI(德州仪器)16-SOIC

24498

23+

原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

深圳市高捷芯城科技有限公司

4年 留言
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TI(德州仪器)SO-16-208mil

2317

23+

特价优势库存质量保证稳定供货

深圳市得捷芯城科技有限公司

5年 留言
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TI(德州仪器)SO-16-208mil

6473

23+

百分百原装正品,可原型号开票

深圳市科恒伟业电子有限公司

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TI/德州仪器SOIC16

9800

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只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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TI/德州仪器SOP16

7522

23+

原装优势公司现货!

深圳市得捷芯城科技有限公司

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TI(德州仪器)16-SOIC

28766

23+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市瑞卓芯科技有限公司

10年 留言
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TI/德州仪器16-SOIC

17450

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原装正品

深圳市坤融电子科技有限公司

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TIPDIP16

4000

2022+

原装原厂代理 可免费送样品

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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TI/价优SOP

2500

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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市安富世纪电子有限公司

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TISOP16

65568

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代理授权直销,原装现货,长期稳定供应

深圳市讯顺达科技有限公司

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TISOP

2500

21+

全新原装公司现货

深圳市德创芯微科技有限公司

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TISOP-16

10000

22+

全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微

深圳市创新迹电子有限公司

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TISOIC16

6800

2021+

原厂原装,欢迎咨询

深圳市昊创电子有限公司

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TISOIC16

9450

2021+

原装现货。

深圳市得捷芯城科技有限公司

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TI/德州仪器NA/

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原装现货,当天可交货,原型号开票

深圳兆威电子有限公司

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TI/德州仪器SOP16

90000

23+

只做原厂渠道价格优势可提供技术支持

深圳市吉中创电子科技有限公司

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TI/德州仪器SOP16

10800

23+

只做原装 欢迎咨询

深圳市汇莱威科技有限公司

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TIPDIP|16

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ULN2004AID功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2004AIDE4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2004AIDG4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2004AIDR功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2004AIDRE4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2004AIDRG4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2004AIN功能描述:达林顿晶体管 HiVltg Hi-Current Darl Trans Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2004AINE4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2004AINS功能描述:外围驱动器与原件 - PCI Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:PLX Technology 工作电源电压: 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FCBGA-1156 封装:Tray

ULN2004AINSE4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg,Hi-Current Dar Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel