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ULN2004AIDR

TIN/A

70000

2025+

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千层芯半导体(深圳)有限公司

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TISOIC16

5630

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TI一级代理原厂授权渠道实单支持

深圳市高捷芯城科技有限公司

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TI(德州仪器)16-SOIC

28766

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TISOP

2500

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全新原装公司现货

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TISOIC16

6800

2021+

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TISOIC16

9450

2021+

原装现货。

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TI/德州仪器SOP16

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TI/德州仪器SOP16

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TI/德州仪器SOP16

28

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:¥2.01

全新、原装

深圳市威尔健半导体有限公司

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TI/德州仪器SOP16

50000

23+

全新原装正品现货,支持订货

深圳市旺财半导体有限公司

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TI原厂封装

32500

25+

原装正品,欢迎询价

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N/A

99

中天科工半导体(深圳)有限公司

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ULN2004AIDR

TI(德州仪器)SOIC-16

60000

26+

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:¥123456

TI(德州仪器)原装功率电子开关ULN2004AIDR即刻询购立享优惠长期有订

深圳市威雅利发展有限公司

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TI正品原装SOIC-16

2500

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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳诚思涵科技有限公司

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TIPDIP16

5000

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全新原装,支持实单,非诚勿扰

深圳市得捷芯城科技有限公司

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TISO-16-208mil

22412

25+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市高捷芯城科技有限公司

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TISOIC-16

11528

25+

样件支持,可原厂排单订货!

深圳市凌旭科技有限公司

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TISOP16

7522

2016+

只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳市纳艾斯科技有限公司

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TISOP

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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增

深圳市华睿芯科技有限公司

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TISOP16

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ULN2004AIDE4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2004AIDG4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2004AIDR功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2004AIDRE4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2004AIDRG4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2004AIN功能描述:达林顿晶体管 HiVltg Hi-Current Darl Trans Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2004AINE4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

ULN2004AINS功能描述:外围驱动器与原件 - PCI Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:PLX Technology 工作电源电压: 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FCBGA-1156 封装:Tray

ULN2004AINSE4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg,Hi-Current Dar Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel