选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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TISOIC16 |
5630 |
17+ |
TI一级代理原厂授权渠道实单支持 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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TI(德州仪器)16-SOIC |
24498 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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TI(德州仪器)SO-16-208mil |
2317 |
23+ |
特价优势库存质量保证稳定供货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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TI(德州仪器)SO-16-208mil |
6473 |
23+ |
百分百原装正品,可原型号开票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
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TI/德州仪器SOIC16 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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TI/德州仪器SOP16 |
7522 |
23+ |
原装优势公司现货! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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TI(德州仪器)16-SOIC |
28766 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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TI/德州仪器16-SOIC |
17450 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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TIPDIP16 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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TI/价优SOP |
2500 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市安富世纪电子有限公司6年
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TISOP16 |
65568 |
22+ |
代理授权直销,原装现货,长期稳定供应 |
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深圳市讯顺达科技有限公司5年
留言
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TISOP |
2500 |
21+ |
全新原装公司现货 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
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TISOP-16 |
10000 |
22+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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TISOIC16 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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TISOIC16 |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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TI/德州仪器NA/ |
3278 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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TI/德州仪器SOP16 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
留言
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TI/德州仪器SOP16 |
10800 |
23+ |
只做原装 欢迎咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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TIPDIP|16 |
700400 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TIPDIP|16 |
700400 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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ULN2004AIDE4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
ULN2004AIDG4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
ULN2004AIDR功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
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ULN2004AIN功能描述:达林顿晶体管 HiVltg Hi-Current Darl Trans Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
ULN2004AINE4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
ULN2004AINS功能描述:外围驱动器与原件 - PCI Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays RoHS:否 制造商:PLX Technology 工作电源电压: 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FCBGA-1156 封装:Tray
ULN2004AINSE4功能描述:达林顿晶体管 Hi-Vltg,Hi-Current Dar Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel