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UJ3N120065K3S数据手册分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF

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厂商型号

UJ3N120065K3S

参数属性

UJ3N120065K3S 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-JFET;产品描述:1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3

功能描述

1200 V, 66 mohm Normally-On SiC JFET

封装外壳

TO-247-3

制造商

Qorvo Qorvo, Inc

中文名称

威讯联合 威讯联合半导体(德州)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 16:06:00

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UJ3N120065K3S规格书详情

描述 Description

Qorvo's UJ3N120065K3S is a 1200 V, 66 mohm high-performance Gen 3 SiC normally-on JFET transistor. This device exhibits ultra-low on resistance (RDS(ON)) and gate charge (QG) allowing for low conduction and switching loss. The device normally-on characteristics with low RDS(ON) at VGS = 0 V is also ideal for current protection circuits without the need for active control, as well as for cascode operation.

特性 Features

• On-resistance (RDS(on)): 66 mohm (typ)
• Voltage controlled
• Maximum operating temperature: 175 °C
• Extremely fast switching not dependent on temperature
• Low gate charge
• Low intrinsic capacitance

应用 Application

• Over current protection circuits
• DC-AC inverters
• Switched-Mode Power Supplies
• Power Factor Correction Modules
• Motor Drives
• Induction Heating

技术参数

  • 制造商编号

    :UJ3N120065K3S

  • 生产厂家

    :Qorvo

  • RDS(on) 典型值 @ 25C(mohm)

    :66

  • ID 最大值(A)

    :34

  • :Gen 3

  • Tj 最大值(°C)

    :175

  • 车规级认证

    :Yes

  • 封装类型

    :TO-247-3L

  • RoHS

    :Yes

  • Lead Free

    :Yes

  • Halogen Free

    :Yes

  • ITAR Restricted

    :No

  • ECCN

    :EAR99

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