UGF8JT分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
UGF8JT |
参数属性 | UGF8JT 封装/外壳为TO-220-2 全封装,隔离接片;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC |
功能描述 | High Voltage Ultrafast Rectifier |
封装外壳 | TO-220-2 全封装,隔离接片 |
文件大小 |
144.25 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Vishay Siliconix |
企业简称 |
Vishay【威世科技】 |
中文名称 | 威世科技半导体官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-15 20:00:00 |
人工找货 | UGF8JT价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
UGF8JT规格书详情
FEATURES
• Glass passivated chip junction
• Ultrafast recovery time
• Soft recovery characteristics
• Low switching losses, high efficiency
• High forward surge capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AC and ITO-220AC package)
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in high voltage and high frequency power factor correction application.
产品属性
- 产品编号:
UGF8JTHE3_A/P
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
8A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-2 全封装,隔离接片
- 供应商器件封装:
ITO-220AC
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
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