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UGF8JT分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

UGF8JT
厂商型号

UGF8JT

参数属性

UGF8JT 封装/外壳为TO-220-2 全封装,隔离接片;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC

功能描述

High Voltage Ultrafast Rectifier

封装外壳

TO-220-2 全封装,隔离接片

文件大小

144.25 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 10:46:00

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UGF8JT规格书详情

FEATURES

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast recovery time

• Soft recovery characteristics

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AC and ITO-220AC package)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

  For use in high voltage and high frequency power factor correction application.

 

产品属性

  • 产品编号:

    UGF8JTHE3_A/P

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    8A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-2 全封装,隔离接片

  • 供应商器件封装:

    ITO-220AC

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC

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