UGB8JT分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号	UGB8JT
参数属性	UGB8JT 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
功能描述	High Voltage Ultrafast Rectifier
封装外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
文件大小	144.25 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	Vishay Siliconix
企业简称	VISHAY【威世科技】
中文名称	威世科技半导体官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-2 17:10:00
人工找货	UGB8JT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

FEATURES

• Glass passivated chip junction

• Ultrafast recovery time

• Soft recovery characteristics

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AC and ITO-220AC package)

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high voltage and high frequency power factor correction application.

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