UGB15JT分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
UGB15JT |
参数属性 | UGB15JT 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB |
功能描述 | High Voltage Ultrafast Rectifier |
封装外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
文件大小 |
147.11 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Vishay Siliconix |
企业简称 |
Vishay【威世科技】 |
中文名称 | 威世科技半导体官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-19 23:00:00 |
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UGB15JT规格书详情
FEATURES
• Glass passivated chip junction
• Ultrafast recovery times
• Soft recovery charateristics
• Low switching losses, high efficiency
• High forward surge capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AC and
ITO-220AC package)
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC
and WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in high voltage, high frequency power factor
correctors, switching mode power supplies,
freewheeling diodes and secondary dc-to-dc
rectification application.
产品属性
- 产品编号:
UGB15JT-E3/81
- 制造商:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
卷带(TR)
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
15A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 供应商器件封装:
TO-263AB(D²PAK)
- 工作温度 - 结:
-55°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
4850 |
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询价 | ||
VISHAY |
11+ |
TO-263 |
1600 |
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GE |
23+ |
NA |
39960 |
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VIS |
22+ |
TO-263AB |
25000 |
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VISHAY/威世 |
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TO-263AB |
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VISHAY |
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TO-263 |
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VISHAY/威世 |
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VIS |
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TO-263AB |
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VIS |
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VIS |
22+ |
TO-263AB |
6000 |
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