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UG8JT-E3SLASH45	文件：142.81 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Ultrafast Rectifier • Power pack • Glass passivated chip junction • Ultrafast recovery time • Soft recovery characteristics • Low switching losses, high efficiency • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for D2PAK (TO-263AB package)) • Solder dip 275 °C m 文件：142.81 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
UG8JT-E3SLASH45	文件：144.25 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Ultrafast Rectifier FEATURES • Glass passivated chip junction • Ultrafast recovery time • Soft recovery characteristics • Low switching losses, high efficiency • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 文件：144.25 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
UGB8JT-E3SLASH45	文件：142.81 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Ultrafast Rectifier • Power pack • Glass passivated chip junction • Ultrafast recovery time • Soft recovery characteristics • Low switching losses, high efficiency • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for D2PAK (TO-263AB package)) • Solder dip 275 °C m 文件：142.81 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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