UFB15C12E1BC3N中文资料威讯联合数据手册PDF规格书

厂商型号	UFB15C12E1BC3N
功能描述	1200V-15A SiC Full-Bridge Module
丝印标识	UFB15C12E1BC3N
封装外壳	E1B
文件大小	1.48736 Mbytes
页面数量	13 页
生产厂商	Qorvo, Inc
企业简称	QORVO【威讯联合】
中文名称	威讯联合半导体(德州)有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-3 23:00:00
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特性 Features

* On-resistance: RDS(on) = 70mW (typ)

* Operating temperature: 150°C (max)

* Excellent reverse recovery: Qrr = 140nC

* Low body diode voltage: VFSD= 1.4V

* Low gate charge: QG = 46nC

* Threshold voltage VG(th): 5V (typ) allowing 0 to 15V drive

* ESD protected: HBM class 2 and CDM class C3

* Low intrinsic capacitance

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