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UF830KL-TF2-T	文件：256.74 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR DESCRIPTION TheN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,solenoid,motordrivers,relaydrivers. FEATURES *RDS(ON)	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
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N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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更多UF830KL-TF2-T供应商更新时间2025-5-7 14:01:00

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