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UF640L-TN3-R	文件：1.76966 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.76966 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
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更多UF640L供应商更新时间2025-12-24 12:01:00