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UPG2008TB

GaAsINTEGRATEDCIRCUIT

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPG2008TB

GaAsINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •Lowinsertionloss:LINS=0.3dBTYP.@Vcont=+3.0V/0V,f=1GHz LINS=0.4dBTYP.@Vcont=+3.0V/0V,f=2GHz •Highisolation:ISL=27dBTYP.@Vcont=+3.0V/0V,f=0.5to2.0GHz •6-pinsuperminimoldpackage(2.0´1.25´0.9mm)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPG2008TK

GaAsINTEGRATEDCIRCUIT

FEATURES •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.5to5.3V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.40dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.55dBTYP.@f=2.0GHz,Vcont=2.8V/0V :LINS3=0.60dBTYP.@f=2.5GHz,V

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPG2008TK

NECsL,SBANDULTRASMALLSPDTGaAsMMICSWITCH

CEL

California Eastern Labs

VP2008

10/100BASE-TXVOICEOVERIPMAGNETICS

BOTHHAND

Bothhand USA

VRX2008R

1000WattVoltageRegulator-Automaticvoltage

TRIPPLITE

Tripp Lite. All Rights Reserved

VS2008

10/100BASE-TXVOICEOVERIPMAGNETICS

BOTHHAND

Bothhand USA

WCK-2008

200SeriesIntelligentLow-ProfilePlug-InDetectors

SYSTEMSENSOR

Systemsensor advanced ideas.

WST2008

DualN-ChannelMOSFET

WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微硕半导体微硕半导体(深圳)有限公司

XFPQ2008-XXX

SOLDERABILITYLEADSSHALLMEETMILSTD202G

XFMRS

XFMRS,Inc.

详细参数

  • 型号:

    UDK2008

  • 功能描述:

    U盘主控

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更多UDK2008供应商 更新时间2025-7-26 8:31:00