UCC38C55数据手册TI中文资料规格书
UCC38C55规格书详情
描述 Description
UCCx8C5x 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更稳健的版本。
除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCCx8C50-55) 外，UCCx8C5x 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值 (UCC28C56-59)。
VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20V gs、18V gs 或 15V gs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。
UCCx8C5x 系列采用 8 引脚 VSSOP (DGK) 和 8 引脚 SOIC (D) 封装。
特性 Features
• 支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项
• 30V VDD 绝对最大电压
• 1MHz 最大固定频率工作
• 50µA 启动电流，最大值 75µA
• 低工作电流: 1.3mA（f OSC = 52kHz）
• 35ns 快速逐周期过流限制
• 峰值驱动电流为 ±1A
• 轨到轨输出
• 25ns 上升时间
• 20ns 下降时间
• 精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
• 与 UCCx8C4x 引脚对引脚兼容的可直接替代产品
• 提供功能安全
• 可帮助进行功能安全系统设计的文档
技术参数
- 制造商编号
：UCC38C55
- 生产厂家
：TI
- Control mode
：Current
- Duty cycle (max) (%)
：50
- Switching frequency (max) (kHz)
：1000
- Features
：Adjustable switching frequency
- UVLO thresholds on/off (V)
：8.4/7.6
- Operating temperature range (°C)
：0 to 85
- Rating
：Catalog
- Gate drive (typ) (A)
：1
- 封装
：SOIC (D)
- 引脚
：8
- 尺寸
：29.4 mm² 4.9 x 6
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