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UCC37325DR	文件：1.15222 Mbytes Page：28 Pages	Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
UCC37325DR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
UCC37325DRG4	文件：1.15222 Mbytes Page：28 Pages	Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
UCC37325	文件：222.21 Kbytes Page：15 Pages	DUAL4-APEAKHIGHSPEEDLOW-SIDEPOWERMOSFETDRIVERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
UCC37325D	文件：222.21 Kbytes Page：15 Pages	DUAL4-APEAKHIGHSPEEDLOW-SIDEPOWERMOSFETDRIVERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
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UCC37325P	文件：1.15222 Mbytes Page：28 Pages	Dual4-APeakHigh-SpeedLow-SidePower-MOSFETDrivers	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
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产品属性

产品编号：
UCC37325DR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 15V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
4A，4A
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，15ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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