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Texas InstrumentsSOIC-8

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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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UCC37323DGNR

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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TI(德州仪器)SOIC-8

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深圳市川科科技有限公司

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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TI/德州仪器SOP-8

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深圳市盈慧通电子有限公司

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TI

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深圳诚思涵科技有限公司

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深圳市威雅利发展有限公司

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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TI/TEXAS原厂封装

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深圳市亚泰盈科电子有限公司

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TI/德州仪器SOIC-8

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深圳市明盛嘉电子科技有限公司

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深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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UCC37323DG4功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

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UCC37323DGNG4功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UCC37323DGNR功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UCC37323DGNRG4功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UCC37323DR功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

UCC37323DRG4功能描述:功率驱动器IC Dual 4 A Peak High Speed Low-Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号：

    UCC37323D

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 类别：

    集成电路（IC） > 栅极驱动器

  • 包装：

    卷带（TR）

  • 驱动配置：

    低端

  • 通道类型：

    独立式

  • 栅极类型：

    N 沟道，P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电：

    4.5V ~ 15V

  • 逻辑电压 - VIL，VIH：

    1V，2V

  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：

    4A，4A

  • 输入类型：

    反相

  • 上升/下降时间（典型值）：

    20ns，15ns

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

  • 供应商器件封装：

    8-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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