UCC28C55-Q1数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

UCC28C5x-Q1 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制器，可用于驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更稳健的版本。

除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值 (UCC28C50-55-Q1) 外，UCC28C5x-Q1 系列还具有可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值 (UCC28C56-59-Q1)。

VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或 15Vgs SiC MOSFET 的栅极，同时可无需使用外部 LDO。

特性 Features

• 支持 Si 和 SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项
• 30V VDD 绝对最大电压
• 1MHz 最大固定频率工作
• 50µA 启动电流，最大值 75µA
• 低工作电流：1.3mA（fOSC = 52kHz）
• 高工作 TJ：150°C（最大值）
• 35ns 快速逐周期过流限制
• 峰值驱动电流为 ±1A
• 轨到轨输出：
• 25ns 上升时间
• 20ns 下降时间

• 精度为 ±1% 的 2.5V 误差放大器基准
• 与 UCC28C4x-Q1 引脚对引脚兼容的可直接替代产品
• 提供功能安全
• 可帮助进行功能安全系统设计的文档

• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
• 器件温度等级 1：-40°C 至 125°C
• 器件 HBM 分类等级 2：±2kV
• 器件 CDM 分类等级 C4B：750 V