具有 5V UVLO、使能功能和 CMOS 输入的汽车类 4A/4A 单通道栅极驱动器

UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 单通道高速低侧栅极驱动器器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 开关。 借助于固有的大大减少击穿电流的设计，UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 能够灌、拉高峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为 17ns）。UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 在 VDD = 12V 时提供 4A 拉电流和 4A 灌电流（对称驱动）峰值驱动电流功能。UCC27518A-Q1 和 UCC27519A-Q1 在 4.5 • 符合汽车应用要求\n• 符合器件汽车 1 级\n• 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C6\n• 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品\n• 4A 峰值拉电流和 4A 峰值灌电流对称驱动\n• 快速上升和下降时间（典型值 8ns 和 7ns）\n• 在 VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间，输出保持低电平（以保证加电和断电时的无毛刺脉冲运行） \n• 用于高抗噪性的滞后逻辑阀值\n• 当输入引脚悬空时输出保持在低电平\n• -40°C 至 140°C 的运行温度范围\n• 5 引脚 DBV 封装（小外形尺寸晶体管封装 (SOT);

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Single-Channel High-Speed Low-Side Gate Driver With Negative Input Voltage Capability

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