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UCC27512-EP

UCC2751x Single-Channel, High-Speed, Low-Side Gate Driver (With 4-A Peak Source and 8-A Peak Sink)

1 Features • Low-Cost Gate-Driver Device Offering Superior Replacement of NPN and PNP Discrete Solutions • 4-A Peak Source and 8-A Peak Sink Asymmetrical Drive • Strong Sink Current Offers Enhanced Immunity Against Miller Turnon • Split Output Configuration (Allows Easy and Independent Adj

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UCC27512-EP

SINGLE CHANNEL HIGH-SPEED, LOW-SIDE GATE DRIVER (WITH 4-A PEAK SOURCE AND 8-A PEAK SINK)

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UCC27512-EP_15

SINGLE CHANNEL HIGH-SPEED, LOW-SIDE GATE DRIVER (WITH 4-A PEAK SOURCE AND 8-A PEAK SINK)

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UCC27512-EP

具有 5V UVLO、采用 SON 封装的增强型产品 4A/8A 单通道栅极驱动器

UCC27512 单通道、高速、低侧栅极驱动器器件能够有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 电源开关。 通过使用本身能够大大减少击穿电流的设计,UCC27512 能够拉、灌高、峰值电流脉冲进入到电容负载,此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟(典型值为 13ns)。UCC27512 提供 4A 拉,8A 灌(非对称驱动)峰值驱动电流能力。 非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生、米勒接通效应的能力。UCC27512 设计用于在 4.5V 至 18V 的宽 VDD 范围和 -55°C 至 125°C 的宽温度范围内运行。 VDD • 低成本、栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品\n• 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效应性能 \n• 快速上升和下降时间(典型值 9ns 和 7ns)\n• 在 VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间,输出保持低电平(以保证加电和断电时的无毛刺脉冲运行) \n• 用于高抗噪性的滞后逻辑阀值\n• 未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能\n• 当输入引脚悬空时输出保持在低电平\n• 6 引脚 DRS(带有散热垫的 3mm x 3 mm 超薄小外形尺寸 (WSON) 封装)封装;

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技术参数

  • Power switch:

    MOSFET

  • Peak output current (A):

    8

  • Input VCC (Min) (V):

    4.5

  • Input VCC (Max) (V):

    18

  • Features:

    Hysteretic Logic

  • Operating temperature range (C):

    -55 to 125

  • Rise time (ns):

    9

  • Fall time (ns):

    7

  • Prop delay (ns):

    13

  • Input threshold:

    CMOS

  • Channel input logic:

    Inverting

  • Input negative voltage (V):

    0

  • Rating:

    HiRel Enhanced Product

  • Undervoltage lockout (Typ):

    4

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