UCC27511A Single-Channel High-Speed Low-Side Gate Driver With 4A Peak Source and 8A Peak Sink

1 Features • Input Pins Capable of Withstanding –5V Below GND pin • Low-Cost Gate-Driver Device Offering Superior Replacement of NPN and PNP Discrete Solutions • Strong Sink Current Offers Enhanced Immunity Against Miller Turnon • Split Output Configuration (Allows Easy and Independent Adj

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Single-Channel High-Speed Low-Side Gate Driver With 4-A Peak Source and 8-A Peak Sink

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具有 5V UVLO 和分离输出的汽车类 4A/8A 单通道栅极驱动器

UCC27511A-Q1 器件是紧凑型栅极驱动器，可为 NPN 和 PNP 离散驱动器（缓冲电路）解决方案提供高品质替代方案。 UCC27511A-Q1 器件是一款汽车应用级单通道低侧、高速栅极驱动器，适用于金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)、绝缘栅门极晶体管 (IGBT) 和新上市的宽带隙电源器件（例如 GaN）。 UCD27511A-Q1 器件具有快速上升时间、快速下降时间和快速传播延迟，因此非常适合高速应用。 此器件采用非对称驱动，具有 4A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流，从而提升了抗米勒接通效应能力。 分离输出配置仅通过两个电阻器便轻松实现了对上升和下降时间的独立调节，并 • 符合汽车应用要求\n• 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围\n• 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B\n• 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品\n• 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效应性能 \n• 快速传播延迟（典型值 13ns）\n• 4.5V 至 18V 单一电源范围\n• 晶体管逻辑 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入逻辑阀值（与电源电压无关）\n• 双输入设计（选择一个反相（IN- 引脚）或者同相（IN+ 引脚）驱动器配置） \n• 当输入引脚悬空时输出保持;

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