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UCC27425DR	文件：2.4699 Mbytes Page：42 Pages	UCC2742x Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable 1 Features • Industry-Standard Pin-Out • Enable Functions for Each Driver • High Current Drive Capability of ±4 A • Unique BiPolar and CMOS True Drive Output Stage Provides High Current at MOSFET Miller Thresholds • TTL/CMOS Compatible Inputs Independent of Supply Voltage • 20-ns Typical 文件：2.4699 Mbytes 页数：42 Pages	TI 德州仪器	TI
UCC27425DR	文件：1.46077 Mbytes Page：30 Pages	Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable 文件：1.46077 Mbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
UCC27425DR	文件：1.46077 Mbytes Page：30 Pages	Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable 文件：1.46077 Mbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
UCC27425DR	文件：1.8643 Mbytes Page：34 Pages	Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers 文件：1.8643 Mbytes 页数：34 Pages	TI 德州仪器	TI
UCC27425DR.A	文件：2.4699 Mbytes Page：42 Pages	UCC2742x Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable 1 Features • Industry-Standard Pin-Out • Enable Functions for Each Driver • High Current Drive Capability of ±4 A • Unique BiPolar and CMOS True Drive Output Stage Provides High Current at MOSFET Miller Thresholds • TTL/CMOS Compatible Inputs Independent of Supply Voltage • 20-ns Typical 文件：2.4699 Mbytes 页数：42 Pages	TI 德州仪器	TI
UCC27425DRG4	文件：1.8643 Mbytes Page：34 Pages	Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers 文件：1.8643 Mbytes 页数：34 Pages	TI 德州仪器	TI
UCC27425DRG4	文件：1.46077 Mbytes Page：30 Pages	Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable 文件：1.46077 Mbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
UCC27425DRG4	文件：1.46077 Mbytes Page：30 Pages	Dual 4-A High Speed Low-Side MOSFET Drivers With Enable 文件：1.46077 Mbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
UCC27425DR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC	TI 德州仪器	TI
UCC27425DRG4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
UCC27425DR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4V ~ 15V
逻辑电压 - VIL，VIH：
1V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
4A，4A
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，15ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UCC27425DR供应商更新时间2026-4-18 14:14:00

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