选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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TISON-8 |
9000 |
23+ |
原装正品 支持实单 假一罚十 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司14年
留言
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TI(德州仪器)标准 |
31770 |
24+ |
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热卖原装进口 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司2年
留言
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TIN/A |
70000 |
2024+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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TIVSON8 |
12000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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TI(德州仪器)VSON8 |
9048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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TI/德州仪器QFN8 |
8903 |
2021+ |
诚信经营..品质保证..价格优势 |
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深圳市胜彬电子有限公司12年
留言
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TI/德州仪器VSON8 |
8000 |
2216+ |
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原装正品假一罚十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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TIVSON(DRM)-8 |
24000 |
23+ |
TI正规渠道只做原装假一罚十 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司13年
留言
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TI/德州仪器VSON8 |
10200 |
24+ |
原装优势公司现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TIVSON8 |
58209 |
2024 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力高端行业供应商 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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TI/德州仪器VSON-8 |
39000 |
22+ |
原装正品 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司6年
留言
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TI(德州仪器)N/A |
12000 |
23+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市华康联电子科技有限公司15年
留言
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TIN/A |
10000 |
24+ |
只做原装,实单最低价支持 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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Texas InstrumentsVSON-8 |
12000 |
24+ |
原装正品现货询价有惊喜 |
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深圳市坤融电子科技有限公司6年
留言
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TIVSON8 |
8000 |
24+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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TI(德州仪器)VSON8 |
13316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市芯诚实创科技有限公司2年
留言
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TI/BBQFN8 |
3720 |
2022 |
绝对实际库存 |
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中科国际电子(深圳)有限公司2年
留言
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TI/德州仪器VSON8 |
30000 |
22+ |
原厂原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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TI/德州仪器QFN |
22 |
1719+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市诚中源科技有限公司5年
留言
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TIVSON8 |
13568 |
22+ |
实力现货,随便验! |
UCC27201DRMR采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
UCC27201DRMR图片
UCC27201DRMR价格
UCC27201DRMR价格:¥9.7505品牌:TI
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更多UCC27201DRMR功能描述:功率驱动器IC 120V Boot 3-A Peak HF HS/LS Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
UCC27201DRMRG4功能描述:功率驱动器IC 120V Boot 3-A Peak HF HS/LS Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
UCC27201DRMR
- 制造商:
Texas Instruments
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
8V ~ 17V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
3A,3A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
8ns,7ns
- 工作温度:
-40°C ~ 140°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
8-VSON(4x4)
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VSON