| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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TINA |
38853 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司5年
留言
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TI(德州仪器)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市英特法电子科技有限公司11年
留言
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TISOP-8 |
1969 |
23+ |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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TI(德州仪器)SOP-8 |
959 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市安富世纪电子有限公司6年
留言
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TIVSON8 |
65568 |
22+ |
代理授权直销,原装现货,长期稳定供应 |
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深圳市雅芯通科技有限公司1年
深圳市雅芯通科技有限公司
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TI/德州仪器na |
5000 |
24+ |
只做正品原装现货 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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Texas InstrumentsSO-PowerPad-8 |
12000 |
23+ |
原装正品现货询价有惊喜 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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TI(德州仪器)SO-8 |
30000 |
22+ |
只做原装 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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TI(德州仪器)N/A |
12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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广州喜墨电子科技有限公司1年
留言
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60000 |
2205+5 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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TISOP |
30576 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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TI(德州仪器)SOP-8 |
13516 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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TIHSOP-8 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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TI/德州仪器SOP8 |
4568 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司5年
留言
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TI(德州仪器)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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TI/德州仪器SOP-8 |
5926 |
23+ |
原装优势公司现货! |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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TISO8 |
5630 |
17+ |
TI一级代理原厂授权渠道实单支持 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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TI/德州仪器SOP8 |
8903 |
2021+ |
诚信经营..品质保证..价格优势 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司6年
留言
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TISO PowerPAD-8 |
30000 |
23+ |
全新原装正品 |
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深圳市安富世纪电子有限公司6年
留言
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TISOP8 |
65568 |
22+ |
代理授权直销,原装现货,长期稳定供应 |
UCC27201ADDA采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
UCC27201ADDA图片
UCC27201ADDAR价格
UCC27201ADDAR价格：￥10.4341品牌：TI
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更多UCC27201ADDA功能描述:功率驱动器IC 120V Boot,3A Peak,Hi Freq,Hi/Low-Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
UCC27201ADDAR功能描述:功率驱动器IC 120V Boot,3A Peak,Hi Freq,Hi/Low-Side RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
UCC27201ADDA
- 制造商：
Texas Instruments
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
8V ~ 17V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
3A，3A
- 输入类型：
非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
8ns，7ns
- 工作温度：
-40°C ~ 140°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-PowerSOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SO-PowerPad
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR
