UCC21750-Q1 10-A Source/Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with Active Protection, Isolated Analog Sensing and High-CMTI

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single channel isolated gate driver for SiC/IGBT with advanced protection and high-CMTI

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适用于 IGBT/SiC FET 且具有 DESAT 和内部米勒钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，用于具有高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有高级保护功能 功能、出色的动态性能和稳健性。\n\n输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。 • 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器\n• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准\n• 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT\n• 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)\n• 高峰值驱动电流和高 CMTI\n• 4A 内部有源米勒钳位\n• 发生故障时的 400mA 软关断 \n \n• RDY 上的 12V VDD UVLO（具有电源正常指示功能）\n• 130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件间偏移\n• SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm\n• 工作结温范围：-40°C 至 +150°C;

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适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和内部钳位的汽车类 5.7kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器

UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，用于具有高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有高级保护功能 功能、出色的动态性能和稳健性。UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。\n\n输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移、大于 150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。\n\nUCC21750-Q1 具有高级保护功能 功能，如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、 • 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器\n• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准\n• 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT\n• 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)\n• ±10A 驱动强度和分离输出\n• 150V/ns 最小 CMTI \n• 具有 200ns 快速响应时间的 DESAT 保护\n• 4A 内部有源米勒钳位\n• 发生故障时的 400mA 软关断 \n \n• 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器 \n• 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应 \n• 高电压直流链路或相电压 \n \n• 过流警报 FLT 和通过 ;

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包装：盒 功能：栅极驱动器 类别：开发板，套件，编程器 评估和演示板及套件 描述：UCC21750QDWEVM-025

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