选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市安富世纪电子有限公司6年
留言
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TISOP28 |
65568 |
22+ |
代理授权直销,原装现货,长期稳定供应 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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Texas InstrumentsSOIC-8 |
12000 |
23+ |
原装正品现货询价有惊喜 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Texas InstrumentsSOIC-8 |
20650 |
23+ |
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TI优势主营型号-原装正品 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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TISOP8 |
1740 |
21+ |
绝对公司现货,不止网上数量!原装正品,假一赔十! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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TI-德州仪器SOP-8.贴片 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
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TISOIC |
30000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
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UNITRODESOP8 |
5000 |
2023+ |
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一级代理优势现货,全新正品直营店 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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UNITRODSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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TexasInstruments8-SOIC |
65500 |
2019+ |
原装正品货到付款,价格优势! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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UNITRODESOP8 |
9852 |
1836+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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TISOP8 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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UNITRODESOP8 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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UNITRODESOP8 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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TI(德州仪器)SOIC-8 |
3575 |
1921+ |
向鸿仓库现货,优势绝对的原装! |
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上海鑫科润电子科技有限公司7年
留言
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TISOP-8P |
2185 |
2004 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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TI原厂封装 |
5106 |
23+ |
原装现货 |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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TI/德州仪器SOIC-8 |
25500 |
23+ |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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UNITRODESOP-8 |
891 |
9245+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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TI原厂封装 |
5106 |
23+ |
原装现货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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UNITRODESOP8 |
50000 |
22+ |
只做原装正品,假一罚十,欢迎咨询 |
UC3705DTR采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
UC3705DTR图片
UC3705DTR中文资料Alldatasheet PDF
更多UC3705DTR功能描述:功率驱动器IC Comp Hi-Speed Power Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
UC3705DTRG4功能描述:功率驱动器IC Comp Hi-Speed Power Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
UC3705DTR
- 制造商:
Texas Instruments
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)
- 驱动配置:
低端
- 通道类型:
单路
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
5V ~ 40V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
1.5A,1.5A
- 输入类型:
反相,非反相
- 上升/下降时间(典型值):
60ns,60ns
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC