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UC2714J

ComplementarySwitchFETDrivers

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

UC2714J

ComplementarySwitchFETDrivers

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

UC2714M

ComplementarySwitchFETDrivers

TI1Texas Instruments

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UC2714N

ComplementarySwitchFETDrivers

TI1Texas Instruments

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UPA2714GR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2714GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−3.5A) RDS(on)2=30mΩMAX.(VGS=−4.5V,

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPA2714GR

SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPC2714T

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT

1.8GHzLOWPOWERCONSUMPTIONWIDEBANDAMPLIFIER SILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

UPC2714T

LOWPOWERCONSUMPTIONSILICONMMICAMPLIFIER

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

UPC2714T

1.8GHzLOWPOWERCONSUMPTIONWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

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