首页 >UC2714D其他被动元件>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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ComplementarySwitchFETDrivers | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2714GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=20mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−3.5A) RDS(on)2=30mΩMAX.(VGS=−4.5V, | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT 1.8GHzLOWPOWERCONSUMPTIONWIDEBANDAMPLIFIER SILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
LOWPOWERCONSUMPTIONSILICONMMICAMPLIFIER | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
1.8GHzLOWPOWERCONSUMPTIONWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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