UC1625-SP

航天级 (QMLV) 三相含传感器梯形控制 BLDC 栅极驱动器; • 经QML-V 标准认证，SMD 5962-91689 \n• 耐辐射: 40 kRad (Si) TID辐射容限是基于初始器件鉴定 （放射量率 = 10 mrad/sec） 的典型值。 可提供辐射批量接受测试——详情请与厂家联系。\n• 直接驱动功率场效应管（MOSFET）或者达灵顿功率管（Darlington）\n• 50-V 开路集电极高层驱动器\n• 锁存软启动\n• 装有理想二极管的高速电流感应放大器\n• 逐脉冲和平均电流感应\n• 过压及欠压保护\n• 用于安全方向反转的方向闩\n• 转速计\n• 修整参考源 30 mA\n• 可编程交叉传导保护\n• 两象限和四象限运算;

UC1625 电机控制器在一个封装内集成了高性能无刷dc电机控制所需的大多数功能。 当与外部功率场效应管（MOSFET）或者达灵顿功率管（Darlington）耦合的时候，此器件在电压或者电流模式下件执行固定频率PWM电机控制的同时执行闭环速度控制和具有智能噪音抑制功能的刹车，安全方向反转，和交叉传导保护。 虽然额定工作电压范围是 10 V至 18V，UC1625 可借助于外部电平位移组件来控制具有更高电源电压的器件。 UC1625 含有用于低侧功率器件的快速、高电流推挽驱动器和用于高侧功率器件或者电平位移电路的 50 V开路集电极输出。 UC1625 额定军用工作温度范围是 -55°C 至 125°C。

UC1625-SP

RAD-TOLERANT CLASS V, BRUSHLESS DC MOTOR CONTROLLER

UP1625P

PNPSILICONPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTCUP1620isasiliconPNPsiliconpowertransistor,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltageandultra-highDCcurrentgain,etc. FEATURES *Highcollector-emitterbreakdownvoltage *Ultra-highDCcurrentgain

VCS1625

HighPrecisionFoilSurfaceMountCurrentSensingChipResistorswithTCRof짹2ppm/째CandLoadLifeStabilityof짹0.02

VCS1625Z

UltraHighPrecisionZ-FoilSurfaceMountCurrentSensingChipResistorswithTCRof짹0.05ppm/째CandPowerCoefficientof5ppmatRatedPower

XM1625K

16(65/34)AWGBareCopper

XM1625KCY

16(65/34)AWGBareCopper

XM1625L

16(65/34)AWGBareCopper

XM1625LCY

16(65/34)AWGBareCopper

XM1625R

16(65/34)AWGBareCopper