UBFU520Y数据手册UTC中文资料规格书
UBFU520Y规格书详情
描述 Description
The UTC UBFU520Y are Dual NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic. The UTC UBFU520Y suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz.
特性 Features
Low noise, high breakdown RF transistor Minimum noise figure (NFmin) = 0.65 dB at 900 MHz Maximum stable gain 19dB at 900 MHz 11GHz fT silicon technology
技术参数
- 制造商编号
：UBFU520Y
- 生产厂家
：UTC
- BVceo (V)
：12
- BVcbo (V)
：24
- Ic (A)
：30mA
- hFE (min)
：60
- hFE (max)
：200
- Vce (Max)(V)
：-
- Vce (Sat)(V)
：-
- Package
：SOT-363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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