Ultrafast Rectifier

FEATURES • Oxide planar chip junction • Ultrafast recovery time • Low switching losses, high efficiency • High forward surge capability • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AC and ITO-220AC package) • Compl

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

Ultrafast Rectifier

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DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Vishay

威世

DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Vishay

威世

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division