SoftStore 8K x 8 nvSRAM

Description The U631H64 has two separate modes of operation: SRAM mode and nonvolatile mode. In SRAM mode, the memory operates as an ordinary static RAM. In nonvolatile operation, data is transferred in parallel from SRAM to EEPROM or from EEPROM to SRAM. In this mode SRAM functions are disabled.

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SIMTEK

Simtek Corporation

SoftStore 8K x 8 nvSRAM

Description The U631H64 has two separate modes of operation: SRAM mode and nonvolatile mode. In SRAM mode, the memory operates as an ordinary static RAM. In nonvolatile operation, data is transferred in parallel from SRAM to EEPROM or from EEPROM to SRAM. In this mode SRAM functions are disabled.

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SoftStore 8K x 8 nvSRAM

Description The U631H64 has two separate modes of operation: SRAM mode and nonvolatile mode. In SRAM mode, the memory operates as an ordinary static RAM. In nonvolatile operation, data is transferred in parallel from SRAM to EEPROM or from EEPROM to SRAM. In this mode SRAM functions are disabled.

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SoftStore 8K x 8 nvSRAM

Description The U631H64 has two separate modes of operation: SRAM mode and nonvolatile mode. In SRAM mode, the memory operates as an ordinary static RAM. In nonvolatile operation, data is transferred in parallel from SRAM to EEPROM or from EEPROM to SRAM. In this mode SRAM functions are disabled.

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SIMTEK

Simtek Corporation

SoftStore 32K x 8 nvSRAM

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未分类制造商

SoftStore 32K x 8 nvSRAM

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未分类制造商

SoftStore 32K x 8 nvSRAM

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未分类制造商

中压栅极驱动（＜400V）

•产品描述:U6310是一款耐压为70V的集成三相全桥栅极驱动 器，适合于12V，24V和36V的三相电机应用中高速功 率 MOSFET 和IGBT 的栅极驱动，同时集成了12V LDO控制电路和MCU的供电 5.0V LDO，简化了整个 供电系统。 U6310内置低侧电源和高侧电源欠压（UVLO）保 护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。 U6310输入脚兼容3.3-5.0V输入逻辑，集成防穿通 死区时间为 250ns ，驱动能力为 +1.5A/- 1.8A。 U6310集成共模噪声消除技术使得高边驱动器在 高 dv/dt 噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范 的负瞬态电压忍受能

UNIU-SEMIC

宇力

中压栅极驱动（＜400V）

•产品描述:U6310是一款耐压为70V的集成三相全桥栅极驱动 器，适合于12V，24V和36V的三相电机应用中高速功 率 MOSFET 和IGBT 的栅极驱动，同时集成了12V LDO控制电路和MCU的供电 5.0V LDO，简化了整个 供电系统。 U6310内置低侧电源和高侧电源欠压（UVLO）保 护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。 U6310输入脚兼容3.3-5.0V输入逻辑，集成防穿通 死区时间为 250ns ，驱动能力为 +1.5A/- 1.8A。 U6310集成共模噪声消除技术使得高边驱动器在 高 dv/dt 噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范 的负瞬态电压忍受能

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