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U448	文件：996.14 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
U4488B	文件：272.08 Kbytes Page：9 Pages	Quasi-Split Sound Circuit and AM Demodulator	TemicTEMIC 杰驰电子	Temic
448	文件：110.65 Kbytes Page：4 Pages	Linearmotion0.2wattcompositionslidecontrol	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
448	文件：204.23 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountFuses	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
448IRF	文件：168.7 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=0.60ohm,Id=11A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfrominternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastS	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AOD448	文件：127.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD448usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD448isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD448	文件：318.47 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOD448L	文件：127.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD448usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD448isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOI448	文件：331.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=35mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOI448	文件：994.12 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU448	文件：994.15 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOU448	文件：352.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOU448	文件：72.07 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU448usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU448isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOU448L	文件：72.07 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOU448usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOU448isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOU4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AP448	文件：175.78 Kbytes Page：2 Pages	TO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
ARF448	文件：57.52 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF448AandARF448BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz. Specified150Volt,40.68MHzCharacteristics: OutputPower=140Watts. Gain=1	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF448A	文件：57.52 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF448AandARF448BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz. Specified150Volt,40.68MHzCharacteristics: OutputPower=140Watts. Gain=1	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF448A	文件：389.25 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF448B	文件：389.25 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF448B	文件：57.52 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF448AandARF448BcompriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpushpullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz. Specified150Volt,40.68MHzCharacteristics: OutputPower=140Watts. Gain=1	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW

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详细参数

型号：
U448
制造商：
TEMIC
制造商全称：
TEMIC Semiconductors
功能描述：
Quasi-Split Sound Circuit and AM Demodulator

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市九方航科技有限公司	U448	VBSEMI	19+	TO-251	29600	绝对原装现货,价格优势!	询价
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