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U20C60D	文件：603.09 Kbytes Page：2 Pages	Dual Common Anode Ultra Fast Recovery Diodes	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
U20C60D	文件：605.4 Kbytes Page：2 Pages	Dual Doubler Tandem Ultra Fast Recovery Diodes	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
U20C60D	文件：817.33 Kbytes Page：2 Pages	20.0 Ampere Heatsink Dual Doubler Polarity Ultra Fast Recovery Rectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
AOB20C60	文件：79.68 Kbytes Page：3 Pages	PlasticEncapsulatedDevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB20C60P	文件：452.75 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB20C60P	文件：332.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.26Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB20C60PL	文件：452.75 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB20C60PL	文件：452.74 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentCapability	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT20C60	文件：79.65 Kbytes Page：3 Pages	PlasticEncapsulatedDevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT20C60P	文件：452.75 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT20C60P	文件：297.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.26Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT20C60P	文件：452.74 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentCapability	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT20C60PL	文件：452.74 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentCapability	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF20C60	文件：79.64 Kbytes Page：3 Pages	PlasticEncapsulatedDevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF20C60P	文件：296.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF20C60P	文件：462.05 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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AOW20C60	文件：314.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOW20C60	文件：83.33 Kbytes Page：3 Pages	PlasticEncapsulatedDevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
DSA20C60PN	文件：97.51 Kbytes Page：4 Pages	HighPerformanceSchottkyDiodeLowLossandSoftRecoveryCommonCathode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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更多U20C60D供应商更新时间2024-5-1 16:30:00

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