| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
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VISHAYD0-35 |
60000 |
15+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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13年
留言
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VISHAY/威世NA |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
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VISHAY-威世DO-35 |
236148 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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17年
留言
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VISHAY原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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6年
留言
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VISHAYD0-35 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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1年
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VISHAY/威世DO-35 |
350 |
26+ |
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10年
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VISHAYSMD |
30000 |
22+ |
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6年
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VISHAYDO-35 |
16750 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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6年
留言
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VISHAY-威世DO-35 |
236148 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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VISHAY-威世DO-35 |
236148 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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VISHAY-威世DO-35 |
236148 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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VISHAY-威世DO-35 |
236148 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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VISHAY-威世DO-35 |
236148 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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1年
留言
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VISHAY/威世NA |
20000 |
26+ |
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6年
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VISHAYDO-35 |
16750 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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6年
留言
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VISHAYDO-35 |
16750 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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6年
留言
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VISHAYDO-35 |
16750 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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6年
留言
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VISHAYDO-35 |
16750 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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6年
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VISHAYDO-35 |
16750 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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6年
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VISHAYDO-35 |
16750 |
25+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
TZX33采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
TZX33图片
TZX33B-TAP价格
TZX33B-TAP价格:¥0.1674品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的TZX33B-TAP多少钱,想知道TZX33B-TAP价格是多少?参考价:¥0.1674。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,TZX33B-TAP批发价格及采购报价,TZX33B-TAP销售排行榜及行情走势,TZX33B-TAP报价。
TZX33A-TR中文资料Alldatasheet PDF
更多TZX33制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
TZX33A制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
TZX33A-TAP功能描述:稳压二极管 33 Volt 0.5W 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
TZX33A-TR功能描述:稳压二极管 33 Volt 0.5W 10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
TZX33B制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
TZX33B-TAP功能描述:稳压二极管 33 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
TZX33B-TR功能描述:稳压二极管 33 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
TZX33C制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
TZX33C-TAP功能描述:稳压二极管 33 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
TZX33C-TR功能描述:稳压二极管 33 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel















