TXS4558数据手册集成电路(IC)的转换器电平移位器规格书PDF

厂商型号 |
TXS4558 |
参数属性 | TXS4558 封装/外壳为20-WFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的转换器电平移位器;产品描述:IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 20QFN |
功能描述 | 双 SIM 卡电源,配备电平转换器和专用双路 LDO |
封装外壳 | 20-WFQFN 裸露焊盘 |
制造商 | TI Texas Instruments |
中文名称 | 德州仪器 美国德州仪器公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 18:30:00 |
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TXS4558规格书详情
描述 Description
TXS4558 是一款完整的双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案,用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡相连,以存储移动手机应用程序的数据。 这是一款定制器件,用于把单个 SIM/UICC 接口扩展至能够支持两个 SIM/UICC (通用集成芯片卡)。该器件不但符合 ISO / IEC 智能卡接口要求,而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包含能够支持 Class B (2.95 V) 与 Class C (1.8 V) 接口的高速电平转换器、低压降 (LDO) 稳压器,可在 2.95 V Class B 与 1.8 V Class C 接口之间选择输出电压。 简单GPIO输入用于在两个SIM卡之间进行交换并使其进入不同模式。 电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 VCC 负责设定用于基带接口的基准,并可采用 1.65V 至 3.3V 的工作电压。 VSIM1 和 VSIM2 被设置为 1.8V 或 2.95V,各由一个独立的内部 LDO 稳压器供电。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的输入电池电压,并向B侧电路及外部 Class B 或 Class C SIM 卡输出高达 50mA 的电流。 此外,TXS4558 还根据 SIM 卡的 ISO 7816-3 规范为 SIM 卡引脚整合了关断定序功能。 该器件不但可为 SIM 引脚提供 8 kV HBM 保护,而且还可为所有其它引脚提供标准 2kV HBM 保护。
特性 Features
• 电平转换器
• VCC的电压范围 1.65 V 至 3.3 V
• VBATT的电压范围 2.3 V 至 5.5 V
• 低压降 (LDO) 稳压器
• 50-mA LDO 调节器具有可用的
• 1.8-V 或者 2.95-V 可选输出电压
• 超低压降: 在100 mV (最大值) 电压下 50 mA
• 通过GPIO 接口与基带处理器实现控制和通信
• 用于 SIM1 和 SIM2 卡的分离时钟停止模式
• ESD 保护等级超过 JESD 22 标准的要求
• 2000-V 人体模式 (A114-B)
• 500-V 充电设备模式(C101)
• 8kV HBM 用于 SIM 引脚
• 封装
• 20-引脚 QFN (3 mm x 3 mm)
技术参数
- 制造商编号
:TXS4558
- 生产厂家
:TI
- Applications
:SIM Card
- Rating
:Catalog
- Operating temperature range (C)
:-40 to 85
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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