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|---|---|---|---|---|
TWR-K60D100M | TWR-K60D100M Tower Module 文件：1.80552 Mbytes 页数：18 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | freescale | |
TWR-K60D100M | TWR-K60D100M Tower Module | 恩XP | 恩XP | |
Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - 文件：127.97 Kbytes 页数：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay | ||
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：107.88 Kbytes 页数：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | Vishay |
详细参数
- 型号：
TWR-K60D100M
- 功能描述：
开发板和工具包 - ARM K60D 100MHZ TWR MCU MODU
- RoHS：
否
- 制造商：
Arduino
- 产品：
Development Boards
- 工具用于评估：
ATSAM3X8EA-AU
- 核心：
ARM Cortex M3
- 接口类型：
DAC, ICSP, JTAG, UART, USB
- 工作电源电压：
3.3 V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
1701+ |
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Freescale |
22+ |
NA |
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恩XP |
24+ |
NA |
50600 |
询价 | |||
恩XP |
23+ |
NA |
11200 |
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FREESCA |
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恩XP |
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SMD |
53870 |
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