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TW140Z120C中文资料东芝数据手册PDF规格书

TW140Z120C
厂商型号

TW140Z120C

功能描述

MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

丝印标识

W140Z120C

封装外壳

TO-247-4L

文件大小

631.9 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
TOSHIBA
数据手册

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更新时间

2025-8-3 8:24:00

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TW140Z120C规格书详情

Applications

• Switching Voltage Regulators

特性 Features

(1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode)

(2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.)

(3) High voltage: VDSS = 1200 V

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 140 mΩ (typ.)

(5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

(6) Recommended gate - source drive voltage: VGS_on = 18 V, VGS_off = 0 V

(7) Enhancement mode.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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