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TW107N65CS1F中文资料东芝数据手册PDF规格书

TW107N65CS1F
厂商型号

TW107N65CS1F

功能描述

MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

文件大小

848.03 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社东芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 8:08:00

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TW107N65CS1F规格书详情

Features

(1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode)

(2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.)

(3) High voltage: VDSS = 650 V

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 107 m

Ω (typ.)

(5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, I

D = 1.2 mA)

(6) Enhancement mode

Applications

• Switching Voltage Regulators

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