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TUMH10N数据手册Galaxy中文资料规格书

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厂商型号

TUMH10N

功能描述

50V,100mA,NPN Bipolar Digital Transistor

制造商

Galaxy Galaxy Power, Inc.

中文名称

银河微

数据手册

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更新时间

2025-8-8 17:58:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :TUMH10N

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • AEC Qualified

    :YES

  • Pb Free

    :YES

  • Halide free

    :YES

  • Reach

    :YES

  • RoHS

    :YES

  • Marketing Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN×2

  • V(BR)CEO(V)min.

    :50

  • TJ(°C)max.

    :150

  • TJ(°C)min.

    :-55

  • ICContinuous(mA)

    :100

  • Gi

    :80

  • VO(ON)(V)

    :0.3

  • fTMHz

    :250(typ)

  • R1 (kΩ)

    :2.2

  • R2 (kΩ)

    :47

  • R1/R2 typ

    :21

  • Vi(off)(V)max.

    :0.5

  • Vi(on)(V)min.

    :1.1

  • PD(mW)

    :150

  • ECCN(US)

    :EAR99

  • Category

    :数字晶体管

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